仕様IGBTディスクリート、ONSemiconductor.モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)
長さ(mm)10.29
幅(mm)9.65
寸法(mm)10.29×9.65×4.83
高さ(mm)4.83
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)175
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージD2PAK(TO-263)
実装タイプ表面実装
最大連続コレクタ電流(A)50
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)365
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±15
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)165
トランジスタ構成シングル