チャンネルタイプN
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最小ゲートしきい値電圧(V)1.1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
ピン数(ピン)3
チャンネルモードエンハンスメント型
動作温度(℃)-55
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8
最大連続ドレイン電流(mA)300
最大パワー消費(mW)350
RoHS指令(10物質対応)対応