仕様強化モードPチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3Tab
動作温度(℃)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT223
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)3
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2.5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)300
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、20
カテゴリーパワーMOSFET