仕様強化モードPチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3Tab動作温度(℃)-55RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOT223実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)3チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)2.5最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)300最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、20カテゴリーパワーMOSFET