仕様強化モードPチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。ピン数(ピン)3動作温度(℃)150RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOT23実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(mW)350チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(mA)460最大ドレイン-ソース間電圧(V)25最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.1最小ゲートしきい値電圧(V)0.65最大ゲート-ソース間電圧(V)8カテゴリーパワーMOSFET