仕様強化モードPチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージD2PAK(TO263)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)3750
標準ターンオフ遅延時間(ns)100
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)47
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)26
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、25
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET