仕様強化モードデュアルMOSFET、FairchildSemiconductor.強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT363(SC70)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)200
標準ターンオン遅延時間(ns)5.85
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)115
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)13.5
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、20
カテゴリーパワーMOSFET