仕様チャンネルタイプ:N, P 、 最大連続ドレイン電流:4.5 (Tr1、Tr2) A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:60 (Tr1) V、60 (Tr2) V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:65 (Tr1) mΩ、70 (Tr2) mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧:3 (Tr1) V, 3 (Tr2) V 、 最低ゲートしきい値電圧:1 (Tr1) V, 1 (Tr2) V 、 最大ゲート-ソース間電圧:±20 (Tr1、Tr2) V 、 パッケージタイプ:SOP 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:8 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:2 W 、 動作温度 Min:-55 ℃