仕様チャンネルタイプ:N, P●最大連続ドレイン電流:4.5 (Tr1、Tr2) A●最大ドレイン-ソース間電圧:30 (Tr1) V、30 (Tr2) V●最大ドレイン-ソース間抵抗:80 (Tr1) mΩ、82 (Tr2) mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2 (Tr1) V, 2 (Tr2) V●最低ゲートしきい値電圧:1 (Tr1) V, 1 (Tr2) V●最大ゲート-ソース間電圧:±20 (Tr1、Tr2) V●パッケージタイプ:SOP●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.7 W●長さ:5.2mm