仕様チャンネルタイプ:N, P●最大連続ドレイン電流:5.5 A (Pチャンネル), 7 A (Nチャンネル)●最大ドレイン-ソース間電圧:30 (Nチャンネル) V、30 (Pチャンネル) V●最大ドレイン-ソース間抵抗:46 mΩ (Nチャンネル), 72 mΩ (Pチャンネル)●最大ゲートしきい値電圧:2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V●最低ゲートしきい値電圧:1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V●最大ゲート-ソース間電圧:±20 V●パッケージタイプ:TSMT●実装タイプ:表面実装●ピン数:8●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:2.5 W●1チップ当たりのエレメント数:2