仕様デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)8
動作温度(℃)(Min)-55
パッケージ1206 ChipFET
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN, P
最大パワー消費(W)3.1
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3、3.5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)85、255
最小ゲートしきい値電圧(V)0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12
カテゴリーパワーMOSFET