仕様デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージPowerPAK ChipFET
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプN, P
最大パワー消費(W)8.3
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.7、7.2
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)55、131
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8
カテゴリーパワーMOSFET