仕様デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)8
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN, P
最大パワー消費(W)3.1、3.4
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.9、5.3
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)72、150
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET