仕様デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT-363 (SC-70)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプN, P
最大パワー消費(W)6.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)4.3、4.5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)12
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65、170
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8
カテゴリーパワーMOSFET