仕様NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
長さ(mm)3.04
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT-23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)1.25
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.15
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2.4
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル