仕様NチャンネルMOSFET、中電圧 / ThunderFETR、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)7.8
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)20
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)12
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
標準入力キャパシタンス(pF)2410@50V