仕様NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージPowerPAK SO
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)104
標準ターンオフ遅延時間(ns)35
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)60
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10.5
最小ゲートしきい値電圧(V)1.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル