仕様NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSO
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)104
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)100
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)1.15
最大ゲートしきい値電圧(V)2
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)20
標準ゲートチャージ102nC@10V
カテゴリーパワーMOSFET