仕様NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)5
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)12
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)33
最小ゲートしきい値電圧(V)1.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、+25
カテゴリーパワーMOSFET