仕様NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)2500
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)12.7
最大ドレイン-ソース間電圧(V)25
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9
最小ゲートしきい値電圧(V)0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12
カテゴリーパワーMOSFET