仕様NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージTO-220AB
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)250
標準ターンオフ遅延時間(ns)39
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)14
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)450
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET