仕様NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)25
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2.6
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.5
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
標準ゲートチャージ8.2nC@10V
カテゴリーパワーMOSFET