仕様NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)5.7
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)20
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET