仕様NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor寸法(mm)6.73×6.22×2.38RoHS指令(10物質対応)対応パッケージDPAK (TO-252)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)3000チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)23最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)31最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET