仕様NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor
寸法(mm)6.73×6.22×2.38
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)3000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)23
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)31
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET