Vishay Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量 1袋(2個) 注文コード 48814369 品番 SiHB28N60EF-GE3
6月22日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は1,998円となります。
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥2,088
販売価格(税別)
1,898
仕様NチャンネルMOSFET (高速ダイオード搭載)、EFシリーズ、Vishay Semiconductor. 逆回復時間、逆回復電荷、及び逆回復電流を低減 低性能指数(FOM) 低入力静電容量(Ciss) 低逆回復電荷により堅牢性を向上 超低ゲート電荷(Qg) RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージD2PAK (TO-263) 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)250 チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)28 最大ドレイン-ソース間電圧(V)600 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)123 最小ゲートしきい値電圧(V)2 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30 トランジスタ構成シングル カテゴリーパワーMOSFET

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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