仕様NチャンネルMOSFET (高速ダイオード搭載)、EFシリーズ、Vishay Semiconductor. 逆回復時間、逆回復電荷、及び逆回復電流を低減 低性能指数(FOM) 低入力静電容量(Ciss) 低逆回復電荷により堅牢性を向上 超低ゲート電荷(Qg)
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージD2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)250
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)28
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)123
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET