仕様NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOT-363 (SC-88)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)2.8チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.9最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)77最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET