仕様NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応パッケージIPAK (TO-251)実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)25000標準ターンオフ遅延時間(ns)15チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)4.3最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)540最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET