仕様NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)42
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)4.8
最大ドレイン-ソース間電圧(V)200
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)800
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET