仕様NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージD2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)3.75
標準ターンオフ遅延時間(ns)40
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)45
最大ドレイン-ソース間電圧(V)250
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)58
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
カテゴリーパワーMOSFET