仕様NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors寸法(mm)6.25×5.26×1.12RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSO実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)104チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)65最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)5.05最大ゲートしきい値電圧(V)3.4最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET