仕様NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors
寸法(mm)6.25×5.26×1.12
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSO
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)104
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)65
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)5.05
最大ゲートしきい値電圧(V)3.4
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET