仕様NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor
長さ(mm)6.73
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)25
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)7.7
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)280
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-10、+10
カテゴリーパワーMOSFET