仕様PチャンネルMOSFET、SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor
シリーズSQ Rugged
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)46
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)11
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)125
最小ゲートしきい値電圧(V)1.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル