仕様PチャンネルMOSFET、SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージD2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)150
標準ターンオフ遅延時間(ns)63
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)50
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)11
最小ゲートしきい値電圧(V)1.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル