仕様PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージD2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)3.75
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)110
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)8
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET