仕様PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+175
パッケージD2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)88
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)13
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)140
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET