仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
幅(mm)6.22
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)50
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2.7
最大ドレイン-ソース間電圧(V)250
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET