仕様PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージPowerPAK 1212
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)52
標準ターンオフ遅延時間(ns)83
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)22
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9.5
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET