仕様PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージPowerPAK 1212
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)57
標準ターンオフ遅延時間(ns)65
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)23
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)9
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET