仕様PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージPowerPAK 1212
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)57
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)27
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)11.5
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET