仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT-223
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)3.1
標準ターンオフ遅延時間(ns)15
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)690
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.2
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET