チャンネルタイプP
最大連続ドレイン電流(A)28
最大ドレイン-ソース間電圧(V)80
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
パッケージPowerPAK SO
実装タイプ表面実装
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
最大パワー消費(W)83
ピン数(ピン)8
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)29
標準ゲートチャージ105nC@10V
仕様PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors
RoHS指令(10物質対応)対応