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SI3900DV-T1-GE3 Vishay デュアル Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY 48840409

Vishay デュアル Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1セット(20個)
内容量1セット(20個)注文コード48840409品番SI3900DV-T1-GE3
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仕様デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductorピン数(ピン)6パッケージTSOP実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)830標準ターンオフ遅延時間(ns)14チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)2最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)200最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12カテゴリーパワーMOSFET
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。https://help.monotaro.com/app/ask書類名)1:SDS(MSDS)2:RoHS(2)3:非該当証明書4:ChemSHERPA5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-30

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