仕様デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージPowerPAK SO
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)15.6
標準ターンオン遅延時間(ns)12
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)20
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22
最小ゲートしきい値電圧(V)1.2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成絶縁型
カテゴリーパワーMOSFET