仕様デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
寸法(mm)3.15×3.15×1.07
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージPowerPAK 1212
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)23
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)24
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8
トランジスタ構成絶縁型
カテゴリーパワーMOSFET