仕様デュアルNチャンネルMOSFET、TrenchFETR Gen IV、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)8
動作温度(℃)(Min)-55
パッケージSO
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)48
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)30
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)16
最大ゲートしきい値電圧(V)3.5
最小ゲートしきい値電圧(V)2.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET