仕様デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
動作温度(℃)(Max)+150
パッケージSOT-363 (SC-88)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)510
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)370
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)3
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成絶縁型
カテゴリーパワーMOSFET