仕様デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージPowerPAK 1212
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)1.5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)6
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12
トランジスタ構成コモンドレイン
標準ゲートチャージ10.5nC@4.5V
カテゴリーパワーMOSFET