仕様デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)(Max)+150
パッケージSOT-363 (SC-88)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)1.25
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.2
最大ドレイン-ソース間電圧(V)12
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)710
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8
カテゴリーパワーMOSFET