仕様デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージTSOP
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)1.4
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2.3
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)188
最小ゲートしきい値電圧(V)1.2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
カテゴリーパワーMOSFET