仕様デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
寸法(mm)3.1×1.7×1.1
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージ1206 ChipFET
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)3.1
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.8
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)156
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8
カテゴリーパワーMOSFET