仕様デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor寸法(mm)3.1×1.7×1.1ピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージ1206 ChipFET実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大パワー消費(W)3.1チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.8最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)156最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8カテゴリーパワーMOSFET