チャンネルタイプN
最大連続ドレイン電流(A)35
最大ドレイン-ソース間電圧(V)1000
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)90
最大ゲートしきい値電圧(V)3.5
最小ゲートしきい値電圧(V)1.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+19
パッケージTO-247
実装タイプスルーホール
ピン数(ピン)4
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
最大パワー消費(W)113.5
長さ(mm)16.13
仕様シリコンカーバイドパワーMOSFET、C3Mシリーズ、Cree Inc. 新しいC3Mシリコンカーバイド(SiC) MOSFET技術 ドレイン-ソース間絶縁破壊電圧(全動作温度範囲): 1000 V以上 新しい低インピーダンスパッケージ(ドライバソース付) ドレイン-ソース間の沿面距離 / クリアランス: 8 mm 低出力静電容量での高速スイッチング ドレイン-ソース間の低ON抵抗による高耐圧 アバランシェ耐久性 超低逆回復損失の高速真性ダイオード
RoHS指令(10物質対応)対応